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埃赋隆半导体推出Gen9HV LDMOS 140W RF PA晶体管

2018-06-06 17:15 来源:埃赋隆半导体 编辑:电源网

2018年6月6日荷兰奈梅亨 – 埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出专为诸如数字视频广播(DVBT)和特高频(UHF)模拟电视等UHF广播应用设计的BLF989射频(RF)功率晶体管。这款140W(平均值——峰值为700W)的晶体管采用埃赋隆最新的Gen9HV高压LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)工艺,是采用该工艺澳门金沙线上娱乐的首款广播器件。该器件通常具有>34%的高工作效率(AB类),并且采用陶瓷SOT539封装形式,安装吊耳可有可无。

BLF989具有>40:1的同类最佳的坚固耐用性,同时具有卓越的工作稳定性和产品一致性特性,这有助于射频功率设备制造商的整个design-in和生产过程。

该晶体管能够在400至860MHz的UHF范围内工作,具有高增益——在Paverage时>21dB,以及整个频率范围内的最佳增益平坦度。

用于BLF989的Gen9HV工艺建立在埃赋隆行业领先的澳门金沙线上娱乐领先地位上,其广播Gen6HV产品组合进一步提高了效率、增益和坚固耐用性规格。BLF989是即将发布的、专门为广播应用设计的Gen9HV产品组合中的第一款产品。

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